[发明专利]氮化物半导体发光芯片、其制造方法以及半导体光学装置有效
| 申请号： | 201010144053.2 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101847823A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;太田征孝 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/02;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 氮化物半导体发光芯片、其制造方法以及半导体光学装置。因为EL发射图案得到改进，氮化物半导体发光芯片的发光效率得到增强。氮化物半导体激光器芯片100(氮化物半导体发光芯片)含具有主生长面10a的氮化物半导体基板10以及在氮化物半导体基板10的主生长面10a上生长的氮化物半导体层11至18。GaN基板10的主生长面10a是相对于m面在a和c轴方向都具有偏角的面，而且在a轴方向的偏角大于在c轴方向的偏角。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 芯片 制造 方法 以及 光学 装置 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光装置，包括：氮化物半导体基板，具有一主生长面；和氮化物半导体层，生长在所述氮化物半导体基板的主生长面上，其中，所述主生长面是相对于m面在a轴和c轴方向都具有偏角的面，而且在所述a轴方向的所述偏角大于在所述c轴方向的所述偏角。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010144053.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：抖动缓存控制装置、方法和程序、以及信息处理装置
- 下一篇：二次电池
