[发明专利]薄膜特性测定装置及方法、以及薄膜加工装置及方法有效

专利信息
申请号: 201010143398.6 申请日: 2010-03-05
公开(公告)号: CN101964377A 公开(公告)日: 2011-02-02
发明(设计)人: 宇田隆;德田隆志 申请(专利权)人: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;G01R27/08;B23K26/36
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 徐申民
地址: 日本国东京都武藏*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种薄膜特性测定装置及方法、以及薄膜加工装置及方法。薄膜特性测定方法,对通过多个沟槽划分为多个电极的、成膜于绝缘基板上的导电性薄膜的特性更细致地进行测定。本发明用于测定夹着沟槽的2个电极间的电特性。将由夹着所述沟槽的一方的电极的面对所述沟槽的沿面侧部分、所述沟槽、以及夹着所述沟槽的另一方的电极的面对所述沟槽的沿面侧部分构成的部分看作为电容器,应用对于电容器的特性测定方法,测定夹着所述沟槽的2个电极间的电特性。
搜索关键词: 薄膜 特性 测定 装置 方法 以及 加工
【主权项】:
一种薄膜特性测定方法,其对在成膜于绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽、将所述导电性薄膜分割为多个薄膜部分的测定对象基板,测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性,其特征在于,将由夹着所述沟槽的一方的所述薄膜部分的面向所述沟槽的沿面侧部分、所述沟槽、以及夹着所述沟槽的另一方的所述薄膜部分的面向所述沟槽的沿面侧部分构成的部分看作为电容器,应用对于电容器的特性测定方法,测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性。
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