[发明专利]薄膜特性测定装置及方法、以及薄膜加工装置及方法

权利要求书

1.一种薄膜特性测定方法，其对在成膜于绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽、将所述导电性薄膜分割为多个薄膜部分的测定对象基板，测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性，其特征在于，

将由夹着所述沟槽的一方的所述薄膜部分的面向所述沟槽的沿面侧部分、所述沟槽、以及夹着所述沟槽的另一方的所述薄膜部分的面向所述沟槽的沿面侧部分构成的部分看作为电容器，应用对于电容器的特性测定方法，测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性。

2.如权利要求1所述的薄膜特性测定方法，其特征在于，

在夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分施加规定电压，将施加所述电压后经过规定时间之后的漏电流的值，或者，所述规定电压除以所述漏电流得到的绝缘电阻的值，作为测定值。

3.如权利要求1所述的薄膜特性测定方法，其特征在于，

所述沟槽是通过激光束的照射而形成的，存在有多个照射激光束以使沟槽形成的激光头，

就每个所述激光头，对夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性的测定结果进行统计处理，由此得到所述激光头之间的照射能力的差异信息。

4.如权利要求3所述的薄膜特性测定方法，其特征在于，

将所得到的所述差异信息反馈到薄膜加工方法中，所述薄膜加工方法利用从激光头发出的激光束在成膜于所述绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽。

5.如权利要求1所述的薄膜特性测定方法，其特征在于，

针对所述沟槽的正交方向求出，夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性的测定结果的变化倾向，得到所述导电性薄膜的所述沟槽的正交方向的膜厚变化信息，所述测定结果的变化倾向是从多个所述沟槽得到的。

6.如权利要求5所述的薄膜特性测定方法，其特征在于，

将所得到的所述膜厚变化信息向薄膜加工方法反馈，所述薄膜加工方法是利用从激光头发出的激光束在成膜于所述绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽的薄膜加工方法，或者是在所述绝缘性基板上形成所述导电性薄膜的薄膜加工方法。

7.一种薄膜加工方法，存在有多个照射激光束以使沟槽形成的激光头，所述各激光头对成膜于绝缘性基板上的导电性薄膜照射激光束，形成平行的多个沟槽，其特征在于，

基于利用权利要求4所述的薄膜特性测定方法所反馈的所述各激光头的照射能力的差异信息，调整从所述各激光头发出的激光束的强度。

8.一种薄膜加工方法，其在绝缘性基板上形成导电性薄膜，其特征在于，

基于利用权利要求6所述的薄膜特性测定方法所反馈的所述膜厚变化信息，进行调整使所述导电性薄膜的膜厚均匀。

9.一种薄膜特性测定装置，该薄膜特性测定装置对在成膜于绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽、将所述导电性薄膜分割为多个薄膜部分的测定对象基板，测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性，其特征在于，

具有测定单元，该测定单元将由夹着所述沟槽的一方的所述薄膜部分的面对所述沟槽的沿面侧部分、所述沟槽、以及夹着所述沟槽的另一方的所述薄膜部分的面对所述沟槽的沿面侧部分构成的部分看作为电容器，应用对于电容器的特性测定方法，测定夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性。

10.如权利要求9所述的薄膜特性测定装置，其特征在于，

所述测定单元，在夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分施加规定电压，将施加所述电压后经过规定时间之后的漏电流的值，或者，所述规定电压除以所述漏电流得到绝缘电阻的值，作为测定值。

11.如权利要求9所述的薄膜特性测定装置，

所述沟槽是通过激光束的照射而形成的，存在有多个照射激光束以使沟槽形成的激光头，

所述测定单元，就每个所述激光头，对夹着所述沟槽的2个所述薄膜部分间的电特性的测定结果进行统计处理，得到所述激光头之间的照射能力的差异信息。

12.如权利要求11所述的薄膜特性测定装置，其特征在于，

具有将所得到的所述差异信息反馈到薄膜加工装置的单元，所述薄膜加工装置利用从激光头发出的激光束，在成膜于所述绝缘性基板的导电性薄膜上形成平行的多个沟槽。