[发明专利]氮化物半导体发光装置的制造方法无效
| 申请号： | 201010143281.8 | 申请日： | 2010-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101867149A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;太田征孝 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置的制造方法。该方法包括步骤：在具有非极性面或半极性面的氮化物半导体衬底中形成凹进区域；以及在氮化物半导体衬底上设置氮化物半导体薄膜，其中该氮化物半导体薄膜包扩n型氮化物半导体薄膜、有源层和p型氮化物半导体薄膜。p型氮化物半导体薄膜在高于或等于700℃且低于900℃的生长温度下生长。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光装置的制造方法，包括步骤：在具有非极性面或半极性面的氮化物半导体衬底中形成凹进区域；以及在所述氮化物半导体衬底上设置氮化物半导体薄膜，所述氮化物半导体薄膜包括n型氮化物半导体薄膜、有源层和p型氮化物半导体薄膜，其中所述p型氮化物半导体薄膜在高于或等于700℃且低于900℃的生长温度下生长。
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