[发明专利]氮化物半导体发光装置的制造方法无效
| 申请号： | 201010143281.8 | 申请日： | 2010-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101867149A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;太田征孝 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 装置 制造 方法 | ||
1.一种氮化物半导体发光装置的制造方法，包括步骤：
在具有非极性面或半极性面的氮化物半导体衬底中形成凹进区域；以及
在所述氮化物半导体衬底上设置氮化物半导体薄膜，所述氮化物半导体薄膜包括n型氮化物半导体薄膜、有源层和p型氮化物半导体薄膜，其中
所述p型氮化物半导体薄膜在高于或等于700℃且低于900℃的生长温度下生长。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光装置的制造方法，其中所述p型氮化物半导体薄膜包含Al。
3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光装置的制造方法，其中所述n型氮化物半导体薄膜在高于或等于900℃的生长温度下生长。
4.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光装置的制造方法，其中所述有源层包括由InxGa1-xN制成的阱层，其中x大于或等于0.15。
5.根据权利要求4所述的氮化物半导体发光装置的制造方法，其中所述阱层在高于或等于600℃且低于或等于830℃的生长温度下生长。
6.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光装置的制造方法，其中具有非极性面或半极性面的所述氮化物半导体衬底是具有M面作为非极性面的氮化物半导体衬底。
7.根据权利要求6所述的氮化物半导体发光装置的制造方法，其中所述凹进区域在所述氮化物半导体衬底的主表面中布置成条形形状，且所述条形形状平行于c轴<0001>方向延伸。
8.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光装置的制造方法，其中在具有M面的所述氮化物半导体衬底中，在平行于c轴<0001>方向的方向上的偏离角在0.5到10度的范围内。
9.根据权利要求8所述的氮化物半导体发光装置的制造方法，其中在具有M面的所述氮化物半导体衬底中，在垂直于c轴的方向上的偏离角小于在平行于c轴的方向上的偏离角。
10.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光装置的制造方法，其中生长抑制膜或生长抑制区域在所述凹进区域中设置在所述氮化物半导体衬底的表面。
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