[发明专利]半导体装置以及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置以及其制造方法，提供薄膜晶体管的包括形成沟道的区域的半导体层和源电极层之间以及半导体层和漏电极层之间的接触电阻小的薄膜晶体管。还提供布线的电阻小的薄膜晶体管。另外，还提供具备在覆盖产生在源电极层及漏电极层的端部的台阶的至少一部分的半导体层中载流子没有阻碍地移动的结构的薄膜晶体管。形成薄膜晶体管时，在第一电极层上设置第一布线层，在第二电极层上设置第二布线层，第一电极层从第一布线层的端部延伸，第二电极层从第二布线层的端部延伸，并且与第一电极层的侧面及上表面和第二电极层的侧面及上表面电连接地设置半导体层。

主权项

一种半导体装置，包括：栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的、其端部与所述栅电极层重叠的第一电极层及第二电极层；所述第一电极层上的第一布线层；所述第二电极层上的第二布线层；以及所述栅电极层上的氧化物半导体层，其中，所述第一电极层延伸超过所述第一布线层的端部，所述第二电极层延伸超过所述第二布线层的端部，所述第一电极层的侧面及上表面以及所述第二电极层的侧面及上表面与所述氧化物半导体层电连接，并且，所述栅电极层上的所述栅极绝缘膜在与所述第一电极层接触的区域和与所述第二电极层接触的区域之间具有与所述氧化物半导体层接触的区域。