[发明专利]显示装置有效
| 申请号： | 201010125750.3 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101800229A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 丰田善章;松村三江子;若木政利 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立显示器 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/528;H01L29/786;H01L21/77;H01L21/336;H01L21/768;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;于英慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种显示装置，在形成有显示部的基板上形成有多个薄膜晶体管，上述薄膜晶体管包括：栅电极；覆盖上述栅电极而形成的栅极绝缘膜；形成在上述栅极绝缘膜的上表面，且当俯视观察时在上述栅电极的形成区域内形成有开口的层间绝缘膜；隔着上述开口而配置在上述层间绝缘膜的上表面的一对高浓度半导体膜；跨上述层间绝缘膜的上述开口而形成，且当俯视观察时形成在上述栅电极的形成区域内，并且与上述一对高浓度半导体膜电连接的多晶半导体层；以及分别与上述一对高浓度半导体膜重叠且不与上述多晶半导体层重叠而形成的一对电极。能降低截止电流并且降低截止漏电流，不增加制造工时而实现电路的集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
【主权项】：
一种显示装置，在形成有显示部的基板上形成有多个薄膜晶体管，其特征在于，上述薄膜晶体管包括：栅电极；覆盖上述栅电极而形成的栅极绝缘膜；形成在上述栅极绝缘膜的上表面，且当俯视观察时在上述栅电极的形成区域内形成有开口的层间绝缘膜；隔着上述开口而配置在上述层间绝缘膜的上表面的一对高浓度半导体膜；跨上述层间绝缘膜的上述开口而形成，且当俯视观察时形成在上述栅电极的形成区域内，并且与上述一对高浓度半导体膜电连接的多晶半导体层；以及分别与上述一对高浓度半导体膜重叠且不与上述多晶半导体层重叠而形成的一对电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立显示器，未经株式会社日立显示器许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010125750.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种石油钻井泥浆降粘剂
- 下一篇：一种透明丁基热熔密封胶及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
