[发明专利]显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置，尤其涉及在形成了显示部的基板上形成有多个薄膜晶体管的显示装置。 

背景技术

在显示装置的显示部呈矩阵状配置多个像素而形成，通常，这些像素利用所谓的有源矩阵方式来驱动。 

即，依次选择配置在行方向的由多个像素构成的像素组，与其选择的定时一致，通过与配置在列方向的各像素公共连接的漏极信号线来提供图像信号。在这种情况下，像素组各自的选择是利用通过公共连接的栅极信号线提供的扫描信号而使构成该像素组的各像素中形成的薄膜晶体管导通来进行的。 

另外，众所周知在这种显示装置的形成有显示部的基板上，该显示部的周边形成有用于向各漏极信号线提供图像信号的漏极驱动器和用于向各栅极信号线提供扫描信号的栅极驱动器，各驱动器具备与形成于像素内的上述薄膜晶体管并列形成的多数薄膜晶体管。 

作为这种情况下的薄膜晶体管，已知有所谓的底部栅极型的薄膜晶体管，在栅极绝缘膜的上表面形成具有开口的层间绝缘膜，覆盖该开口形成有多晶硅层(参照下述专利文献1、2)。在如此构成的薄膜晶体管的上述多晶硅层，形成在开口底面的部分作为沟道区域发挥作用，形成在上述开口的侧壁面的部分成为偏移(offset)区域，所以得到在漏极端电场缓和、使截止电流降低的效果。 

专利文献1中记载的薄膜晶体管的详细结构如下。即，在将栅电极形成于下层的栅极绝缘膜的上表面形成有层间绝缘膜，在该层间绝缘膜的、俯视观察时与上述栅电极重叠的区域的大致中央设置有开 口。在层间绝缘膜的上表面隔着上述开口形成有漏电极和源电极。该漏电极和源电极分别由依次层叠高浓度非晶硅层和金属层的层叠体构成。然后，覆盖层间绝缘膜的上述开口而形成有多晶硅层，其边部与上述漏电极和源电极各自的一部分重叠而形成。 

另外，专利文献2中记载的薄膜晶体管的详细结构如下。即，在将栅电极形成于下层的栅极绝缘膜的上表面形成有层间绝缘膜，在该层间绝缘膜的、俯视观察时与上述栅电极重叠的区域设置有开口。覆盖层间绝缘膜的上述开口并且在上述层间绝缘膜的上表面形成有具有形成为漏极区域和源极区域的部分的多晶硅层。漏极区域和源极区域通过向上述半导体层离子注入高浓度杂质而形成。源电极形成在栅极绝缘膜和层间绝缘膜之间，该源电极与上述多晶硅层的源极区域的连接是通过形成于层间绝缘膜的接触孔而进行的。 

现有技术文献： 

专利文献1：日本特开2004-193248号公报 

专利文献2：日本特开平11-186558号公报 

发明内容

但是，专利文献1中记载的薄膜晶体管的漏电极和源电极分别是与多晶硅层直接接触的结构，在该接触部发生所谓的截止漏电流增大这样的问题。 

另外，为了确保多晶硅层与高浓度非晶硅层的接触面积较大，需要在形成漏电极和源电极时增加它们的侧面蚀刻量。因此，必须将漏电极和源电极的布局宽度取得很大，这样会产生成为电路集成化的障碍的缺陷。 

专利文献2中记载的薄膜晶体管是为了形成高浓度的多晶硅层而需要注入杂质的结构，会产生制造工时增加的缺陷。 

本发明提供一种具有薄膜晶体管的显示装置，该薄膜晶体管能够实现降低截止电流并且降低截止漏电流，能够不增加制造工时而实现电路的集成化。 

本发明的结构例如为以下的结构： 

(1)本发明的显示装置是，在形成有显示部的基板上形成有多个薄膜晶体管，其特征在于， 

上述薄膜晶体管包括： 

栅电极； 

覆盖上述栅电极而形成的栅极绝缘膜； 

形成在上述栅极绝缘膜的上表面，且当俯视观察时在上述栅电极的形成区域内形成有开口的层间绝缘膜； 

隔着上述开口而配置在上述层间绝缘膜的上表面的一对高浓度半导体膜； 

跨上述层间绝缘膜的上述开口而形成，且当俯视观察时形成在上述栅电极的形成区域内，并且与上述一对高浓度半导体膜电连接的多晶半导体层；以及 

分别与上述一对高浓度半导体膜重叠且不与上述多晶半导体层重叠而形成的一对电极。 

(2)在(1)中，本发明的显示装置的特征在于， 

上述一对高浓度非晶态半导体层各自与上述多晶半导体层的电连接是通过在上述一对高浓度非晶态半导体层各自的一部分上重叠上述多晶半导体层而形成的。 

(3)在(2)中，本发明的显示装置的特征在于，