[发明专利]显示装置有效

专利信息
申请号: 201010125750.3 申请日: 2010-02-09
公开(公告)号: CN101800229A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 丰田善章;松村三江子;若木政利 申请(专利权)人: 株式会社日立显示器
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/528;H01L29/786;H01L21/77;H01L21/336;H01L21/768;G02F1/1368
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;于英慧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,在形成有显示部的基板上形成有多个薄膜晶 体管,其特征在于,

上述薄膜晶体管包括:

栅电极;

覆盖上述栅电极而形成的栅极绝缘膜;

形成在上述栅极绝缘膜的上表面,且当俯视观察时在上述栅电极 的形成区域内形成有开口的层间绝缘膜;

隔着上述开口而配置在上述层间绝缘膜的上表面的一对半导体 膜;

跨上述层间绝缘膜的上述开口而形成,且当俯视观察时形成在上 述栅电极的形成区域内,并且与上述一对半导体膜电连接的多晶半导 体层;以及

分别与上述一对半导体膜重叠且不与上述多晶半导体层重叠而 形成的一对电极。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,

上述一对半导体膜各自与上述多晶半导体层的电连接是通过在 上述一对半导体膜各自的一部分上重叠上述多晶半导体层而形成的。

3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,

上述一对半导体膜的重叠有上述多晶半导体层的部分的膜厚比 未重叠上述多晶半导体层的部分的膜厚大。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,

上述一对半导体膜各自与上述多晶半导体层的电连接是通过上 述一对半导体膜各自的侧壁面与上述多晶半导体层的侧壁面抵接而 形成的。

5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,

上述一对半导体膜各自的膜厚比覆盖上述层间绝缘膜的上述开 口而形成的上述多晶半导体层的厚度大。

6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,

上述薄膜晶体管的一对电极中的一方电极通过形成在上述层间 绝缘膜和栅极绝缘膜上的通孔与上述栅电极电连接。

7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,

当俯视观察时,从上述多晶半导体层的沟道长度方向的各边露出 有上述层间绝缘膜的上述开口。

8.一种显示装置,在形成有显示部的基板上形成有多个薄膜晶 体管,其特征在于,

上述薄膜晶体管包括:

栅电极;

形成在上述栅电极上,且当俯视观察时在上述栅电极的形成区域 内形成有开口的层间绝缘膜;

覆盖上述层间绝缘膜而形成的栅极绝缘膜;

跨上述层间绝缘膜的上述开口而形成,且当俯视观察时在上述栅 电极的形成区域内依次层叠而形成的岛状的上述栅极绝缘膜和多晶 半导体层;以及

隔着上述开口而配置在上述层间绝缘膜的上表面的一对电极,

其中,上述一对电极各自包括依次层叠有非晶态半导体膜和金属 膜的层叠体,并且上述一对电极各自的一部分与上述多晶半导体层重 叠而形成。

9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,

在上述薄膜晶体管中,上述栅极绝缘膜在上述栅电极的形成区域 内被加工成岛状,上述一对电极中的一方电极通过形成在上述层间绝 缘膜上的通孔与上述栅电极电连接。

10.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,

当俯视观察时,从上述多晶半导体层的沟道长度方向的各边露出 有上述层间绝缘膜的上述开口。

11.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,

上述多晶半导体层是多晶半导体层和非晶态半导体层的层叠体。

12.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,

在上述多晶半导体层的上表面具有无机绝缘膜,上述一对电极分 别被形成为:它们的相对的端部与上述多晶半导体层重叠,并且还与 上述无机绝缘膜重叠。

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