[发明专利]氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法，包括以下步骤：在衬底上蒸镀一层金属膜层；在所述金属膜层上涂布一层光刻胶膜层，通过光罩技术在衬底上显影出微米级尺寸的光刻胶图形且图形之间留有一层薄薄的光刻胶；通过高温回流技术形成二级纳米级光刻胶图形，其中，一级为微米级尺寸图形，另一级为纳米级尺寸图形；对所述二级纳米级光刻胶图形进行硬化处理；利用加热烘烤光刻胶技术，将光刻胶图形进一步的硬化；利用形成的所述二级纳米级光刻胶图形作为掩膜，用干法刻蚀技术将所述光刻胶图形结构转移到所述衬底上；清洗所述衬底，得到二级纳米级图形衬底。本发明能够提高材料的晶体质量和相应的器件性能。

主权项

一种氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在用于氮化物外延生长的衬底上蒸镀一层金属膜层；步骤二、在所述金属膜层上涂布一层光刻胶膜层，通过光罩技术在衬底上显影出微米级尺寸的光刻胶图形，显影的时候图形之间不完全显影透，使图形之间留有一层光刻胶；步骤三、通过高温回流技术，将上述的光刻胶图形回流成二级纳米级光刻胶图形；步骤四、对所述二级纳米级光刻胶图形进行硬化处理；步骤五、利用加热烘烤光刻胶技术，将光刻胶图形进一步的硬化；步骤六、利用形成的所述二级纳米级光刻胶图形作为掩膜，用干法刻蚀技术将所述光刻胶图形结构转移到所述衬底上；步骤七、清洗所述衬底，得到二级纳米级图形衬底。