[发明专利]氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法

权利要求书

1.一种氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法，其特征在于，包 括以下步骤：

步骤一、在用于氮化物外延生长的衬底上蒸镀一层金属膜层；

步骤二、在所述金属膜层上涂布一层光刻胶膜层，通过光罩技术在衬 底上显影出微米级尺寸的光刻胶图形，显影的时候图形之间不完全显影 透，使图形之间留有一层光刻胶；

步骤三、通过高温回流技术，将上述的光刻胶图形回流成二级纳米级 光刻胶图形；

步骤四、对所述二级纳米级光刻胶图形进行硬化处理；

步骤五、利用加热烘烤光刻胶技术，将光刻胶图形进一步的硬化；

步骤六、利用形成的所述二级纳米级光刻胶图形作为掩膜，用干法刻 蚀技术将所述光刻胶图形结构转移到所述衬底上；

步骤七、清洗所述衬底，得到具有二级图形结构组合的光刻胶图形， 其中一级为微米级尺寸图形、另一级为纳米级尺寸图形。

2.如权利要求1所述的纳米图形衬底制备方法，其特征在于：所述 微米级尺寸图形的结构为：图形之间的间距为0-5μm，图形底部直径为1μm 至10μm，图形高度为0.1-2.5μm，图形的角度为0-90°；所述微米级图 形为周期性排列。

3.如权利要求1所述的纳米图形衬底制备方法，其特征在于：所述 的纳米级尺寸图形的结构为：图形之间的间距为0-5μm，图形底部直径为 10nm至1000nm，图形高度为1nm至1000nm，图形的角度为0-90°。

4.如权利要求1所述的纳米图形衬底制备方法，其特征在于：所述 衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、砷化镓、氧化锌或自支撑氮化镓。

5.如权利要求1所述的纳米图形衬底制备方法，其特征在于：所述 金属膜层为镍、钛或铝。

6.如权利要求1或5所述的纳米图形衬底制备方法，其特征在于： 所述金属膜层的厚度为0.1nm至200nm。

7.如权利要求1所述的纳米图形衬底制备方法，其特征在于：步骤 四所述的硬化处理是采用深紫外线光源对所述二级纳米级光刻胶图形进 行照射硬化处理。

8.如权利要求1所述的纳米图形衬底制备方法，其特征在于：所述 回流烘烤的温度为100℃～600℃、时间为1秒钟～60分钟。

9.如权利要求1所述的纳米图形衬底制备方法，其特征在于：采用 反应离子RIE或感应耦合等离子ICP设备进行干法刻蚀。

10.如权利要求1所述的纳米图形衬底制备方法，其特征在于：所述 氮化物外延生长采用的生长方法为金属有机物化学气相淀积MOCVD、氢化 物气相外延HVPE或分子束外延MBE；所述氮化物外延生长形成的氮化物 外延层为GaN、AlN、InN、AlGaN、InAlN、InGaN或AlGaInN。