[发明专利]半导体制造工艺用吸光分析装置无效

专利信息
申请号: 201010121550.0 申请日: 2010-02-11
公开(公告)号: CN101814425A 公开(公告)日: 2010-08-25
发明(设计)人: 秋山修;秋本雅司;守屋刚;山涌纯 申请(专利权)人: 株式会社岛津制作所;东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;G01N21/31
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体制造工艺用吸光分析装置,其具备与半导体制造工艺的处理室的排气流路连接的流路切换机构和多重反射型水分浓度计测用吸光分析计,该吸光分析计使来自激光光源的激光在单元内多重反射,检测单元内的气体的吸光度变化,并测定该气体中的水分浓度。所述流路切换机构将所述排气流路在经由所述单元而被排气的计测用流路和不经由所述单元而被排气的旁通流路之间进行切换并连接。
搜索关键词: 半导体 制造 工艺 用吸光 分析 装置
【主权项】:
一种半导体制造工艺用吸光分析装置,其具备:流路切换机构,其与半导体制造工艺的处理室的排气流路连接;多重反射型水分浓度计测用吸光分析计,其是经由所述流路切换机构与所述排气流路连接的吸光分析计,该吸光分析计具备使从所述排气流路排出的工艺气体流通的单元、及使来自激光光源的激光在所述单元内多重反射而对所述单元内的工艺气体的吸光度变化进行检测的光学系统,由此对工艺气体中的水分浓度进行测定,其特征在于,所述流路切换机构按照将所述排气流路在经由所述吸光分析计的所述单元而被排气的计测用流路和不经由所述单元而被排气的旁通流路之间切换并连接的方式构成。
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