[发明专利]半导体制造工艺用吸光分析装置

权利要求书

1.一种半导体制造工艺用吸光分析装置，其中，

具备：

流路切换机构，其与半导体制造工艺的处理室的排气流路连接；

多重反射型水分浓度计测用吸光分析计，其是经由所述流路切换机构 与所述排气流路连接的吸光分析计，该吸光分析计具备使从所述排气流路 排出的工艺气体流通的单元、及使来自激光光源的激光在所述单元内多重 反射而对所述单元内的工艺气体的吸光度变化进行检测的光学系统，由此 对工艺气体中的水分浓度进行测定，其特征在于，

所述流路切换机构按照将所述排气流路在经由所述吸光分析计的所 述单元而被排气的计测用流路和不经由所述单元而被排气的旁通流路之 间切换并连接的方式构成。

2.如权利要求1所述的吸光分析装置，其特征在于，

所述处理室内具备对工艺气体中包含的颗粒进行计测的颗粒计数器。

3.如权利要求2所述的吸光分析装置，其特征在于，

具备与所述流路切换机构、所述颗粒计数器及所述吸光分析计按可通 信的方式连接的控制部，

所述流路切换机构在工艺气体中的水分浓度测定中将所述排气流路 与所述计测用流路连接，

所述控制部在所述颗粒计数器检测到工艺气体中有一定量以上的颗 粒时，将所述流路切换机构切换为所述旁通流路。

4.如权利要求1所述的吸光分析装置，其特征在于，

在所述排气流路直接连接有在所述处理室侧所配置的主排气泵和在 所述主排气泵的下游所配置的粗抽真空用泵，

所述流路切换机构配置在所述主排气泵和粗抽真空用泵之间。

5.如权利要求4所述的吸光分析装置，其特征在于，

所述流路切换机构具备在主排气泵侧所配置的第一切换阀和在所述 粗抽真空用泵侧所连接的第二切换阀，第一切换阀与所述单元的气体导入 口连接，第二切换阀与所述单元的排出口连接，并且，在两切换阀间连接 有短路流路，

通过两切换阀的切换，将所述计测用流路作为来自所述处理室的废气 经由所述单元的流路而构成，将所述旁通流路作为来自所述处理室的废气 不经由所述单元而经由两切换阀间的短路流路的流路而构成。