[发明专利]半导体装置用基板、半导体装置及它们的制造方法有效
申请号: | 201010117688.3 | 申请日: | 2010-02-11 |
公开(公告)号: | CN101859701A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 滨田阳一郎;细枞茂 | 申请(专利权)人: | 住友金属矿山株式会社 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L23/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 雒运朴;李伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供能提高金属层与密封树脂之间的结合力,可以形成上表面平坦、横方向的大小均匀的电极,能充分应对微细化的半导体装置用基板的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体装置用基板及半导体装置。半导体装置用基板的制造方法,包含,在具有导电性的基板的表面形成抗蚀层的抗蚀层形成工序;使用玻璃掩膜对抗蚀层进行露光的露光工序;对抗蚀层进行显影,在基板上形成抗蚀图案的显影工序;对基板的露出部分进行电镀而形成金属层的电镀工序;除去抗蚀图案的抗蚀剂除去工序。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 用基板 它们 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置用基板的制造方法,其特征在于包含,在具有导电性的基板的表面形成抗蚀层的抗蚀层形成工序;使用玻璃掩膜对所述抗蚀层进行露光的露光工序,所述玻璃掩膜包含掩膜图案,该掩膜图案具有透过区域和遮光区域,并在该透过区域和该遮光区域之间具有透过率比该透过区域低、而比该遮光区域高的中间透过区域;通过对所述抗蚀层进行显影而在所述基板上形成抗蚀图案的显影工序,所述抗蚀图案形成为包含倾斜部的侧面形状,所述倾斜部形成为随着接近所述基板,开口部外周变小;使用该抗蚀图案对所述基板的露出部分进行电镀而形成金属层的电镀工序,该金属层形成为包含倾斜部的侧面形状,该倾斜部形成为随着接近所述基板,外周变小;除去所述抗蚀图案的抗蚀剂除去工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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