[发明专利]鳍式晶体管结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201010112521.8 | 申请日： | 2010-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN102157554A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种鳍式晶体管结构及其制作方法。该方法包括：提供由体半导体材料构成的半导体衬底；对半导体衬底构图，以形成与该半导体衬底一体的鳍；对所述鳍进行构图，使得所述鳍中用作所述晶体管结构的沟道区的部位之外的其他部位与半导体衬底的表面之间形成有空隙；在所述空隙中填充绝缘体材料；以及以上述形成有鳍的半导体衬底为基础，制作晶体管结构。根据本发明制作的鳍式晶体管结构，既能保持体接触结构的优点，又能减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作鳍式晶体管结构的方法，包括：提供由体半导体材料构成的半导体衬底；对半导体衬底构图，以形成与该半导体衬底一体的鳍；对所述鳍进行构图，使得所述鳍中用作所述晶体管结构的沟道区的部位之外的其他部位与半导体衬底的表面之间形成有空隙；在所述空隙中填充绝缘体材料；以及以上述形成有鳍的半导体衬底为基础，制作晶体管结构。
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