[发明专利]一种包含PN结的半导体电子器件有效
| 申请号： | 201010042636.4 | 申请日： | 2010-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102117839A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 周振强;江堂华 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/739;H01L29/74;H01L29/72;H01L29/36;H01L29/38 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体器件领域，提供了一种包含PN结的半导体电子器件，所述PN结包括若干个子结构；在P区，其中一部分子结构的浓度或寿命的相反数沿N-区方向为先增后减分布，另一部分子结构的浓度或寿命的相反数沿N-区方向为先减后增分布；在N-区，其中一部分子结构的浓度或寿命的相反数沿P区方向为先减后增分布，另一部分子结构的浓度或寿命的相反数沿P区方向为先增后减分布。本发明从改变P区和N-区的掺杂浓度分布、寿命分布入手来实现抑制位移电流的效果，使平稳度参数得到优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包含 pn 半导体 电子器件 | ||
【主权项】：
一种包含PN结的半导体电子器件，其特征在于，所述PN结的P区浓度或寿命的相反数沿N‑区方向呈先增后减分布，所述PN结的N‑区的浓度或寿命的相反数沿P区方向呈先减后增分布。
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