[发明专利]LDMOS器件的源区及其制造方法有效
| 申请号： | 201010027292.X | 申请日： | 2010-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102130165A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张帅;戚丽娜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 陈履忠 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件的源区，呈哑铃状，包括包括矩形的中间区域和多边形的两端区域；所述源区的矩形中间区域沿沟道方向的间距为a’；所述源区的多边形两端区域沿沟道方向的最小间距为c’，垂直沟道方向的最小间距为d’，c’≥a’，d’≥a’。本发明还公开了所述LDMOS的源区的制造方法。本发明将LDMOS器件的源区的两端区域从传统的半圆形变为多边形，这样在制造源区时，就不会出现离子注入的阴影效应，从而有利于提高LDMOS器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件的源区，其特征是，所述源区呈哑铃状，包括包括矩形的中间区域和多边形的两端区域；所述源区的矩形中间区域沿沟道方向的间距为a’；所述源区的多边形两端区域沿沟道方向的最小间距为c’，垂直沟道方向的最小间距为d’，c’≥a’，d’≥a’。
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