[发明专利]LDMOS器件的源区及其制造方法有效
| 申请号： | 201010027292.X | 申请日： | 2010-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102130165A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张帅;戚丽娜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 陈履忠 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种LDMOS器件的源区，其特征是，所述源区呈哑铃状，包括包括矩形的中间区域和多边形的两端区域；
所述源区的矩形中间区域沿沟道方向的间距为a’；
所述源区的多边形两端区域沿沟道方向的最小间距为c’，垂直沟道方向的最小间距为d’，c’≥a’，d’≥a’。
2.根据权利要求1所述的LDMOS的源区，其特征是，所述源区的多边形两端区域沿沟道方向的最大间距为e’，垂直沟道方向的最大间距为f’，1.5a’≤e’≤2a’，1.5a’≤f’≤2a’。
3.根据权利要求1所述的LDMOS的源区，其特征是，所述源区的多边形两端区域为八边形。
4.如权利要求1所述的LDMOS的源区的制造方法，其特征是，包括如下步骤：
第1步，在硅片表面淀积一层多晶硅，以光刻和刻蚀工艺对所述多晶硅进行刻蚀，形成多晶硅栅极；
所述多晶硅栅极的中间有空洞；所述空洞呈哑铃状，包括中间的矩形区域和两端的多边形区域；所述空洞的矩形中间区域沿沟道方向的间距为a；所述空洞的多边形两端区域沿沟道方向的最小间距为c，垂直沟道方向的最小间距为d；c≥a，d≥a；
所述硅片中已形成隔离结构，隔离结构之间已形成有源区；
第2步，以所述多晶硅栅极为阻挡层，进行倾斜角度的离子注入，在所述空洞内的有源区形成形成LDMOS的源区。
5.根据权利要求4所述的LDMOS的源区的制造方法，其特征是，所述方法第2步后形成的LDMOS的源区呈哑铃状，包括包括矩形的中间区域和多边形的两端区域；
所述源区的矩形中间区域沿沟道方向的间距为a’；
所述源区的多边形两端区域沿沟道方向的最小间距为c’，垂直沟道方向的最小间距为d’；
a’＞a，c’＞c，d’＞d。
6.根据权利要求4所述的LDMOS的源区的制造方法，其特征是，所述方法第2步中，倾斜角度的离子注入为30～45度角的离子注入。
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