[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010004694.8 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102130051A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 徐宸科;余学志;苏文正;欧震 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/782 | 分类号： | H01L21/782;H01L33/20;H01L33/22;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管及其制造方法，其中该发光元件制造方法至少包含：提供基板，形成多个发光叠层于基板之上，以及以激光于基板内部形成多个内部散射中心。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光元件制造方法，其步骤至少包含：提供基板；形成至少一发光叠层于该基板之上；以激光于该基板内部形成多个内部散射中心；以及形成至少一电极于该发光叠层之上，其中该电极下方具有至少部分所述内部散射中心。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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