[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件制造方法，其步骤至少包含：

提供基板；

形成至少一发光叠层于该基板之上；

以激光于该基板内部形成多个内部散射中心；以及

形成至少一电极于该发光叠层之上，其中该电极下方具有至少部分所述内部散射中心。

2.一种发光元件制造方法，其步骤至少包含：

提供基板；

形成至少一发光叠层于该基板之上；以及

以激光于该基板内部形成多个内部散射中心，其中该发光叠层的材料包含一种或一种以上的物质选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、砷(As)、磷(P)、氮(N)以及硅(Si)所构成的群组。

3.如权利要求1或2所述的发光元件制造方法，其中该激光可为红外线激光。

4.如权利要求3所述的发光元件制造方法，其中该红外线激光可为Nd-YAG laser、Nd-YVO₄ laser、Nd-YLF laser或钛蓝宝石激光，且其中该激光能量可为0.05～0.35W，速度可为100～600 mm/sec。

5.如权利要求1或2所述的发光元件制造方法，其中形成该发光叠层的步骤，至少包含：

形成第一导电型半导体层于该基板之上；

形成活性层于该第一导电型半导体层上；

形成第二导电型半导体层于该活性层上；

利用光刻蚀刻技术蚀刻该第一导电型半导体层、该活性层以及该第二导电型半导体层，以形成至少一台状结构的发光叠层。

6.如权利要求1或2所述的发光元件制造方法，其中所述内部散射中心的长度可约为1～25μm或宽度可约为2～5μm。

7.如权利要求1或2所述的发光元件制造方法，其中所述内部散射中心的形状可为圆点状、长方体或其他图形。

8.如权利要求1或2所述的发光元件制造方法，其中所述内部散射中心可随意或规则分布于基板内部或接触基板侧壁。

9.一种发光元件，至少包含：

基板，其中该基板内部包含多个内部散射中心；

至少一发光叠层形成于该基板之上；以及

至少一电极形成于该发光叠层之上，其中该多个内部散射中心至少部分位于该电极之下。

10.一种发光元件，至少包含：

基板，其中该基板内部包含多个内部散射中心；以及

至少一发光叠层形成于该基板之上，其中该发光叠层的材料包含一种或一种以上的物质选自镓、铝、铟、砷、磷、氮以及硅所构成群组。

11.如权利要求9或10所述的发光元件，其中所述内部散射中心的长度可约为1～25μm或宽度可约为2～5μm。

12.如权利要求9或10所述的发光元件，其中所述内部散射中心的形状可为圆点状、长方体或其他图形。

13.如权利要求9或10所述的发光元件，其中所述内部散射中心可随意或规则分布于基板内部或接触基板侧壁。

14.如权利要求9或10所述的发光元件，其中该发光叠层至少包含：

第一导电型半导体层，位于该基板之上；

活性层，位于部分该第一导电型半导体层上；以及

第二导电型半导体层，位于该活性层上。

15.如权利要求9或10所述的发光元件，其中该基板表面可为实质不平整表面。