[发明专利]发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光元件，特别是涉及一种关于基板具有内部散射中心的发光元件及其制造方法。

背景技术

发光二极管(light-emitting diode，LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式将能量释放，这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理，因此发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有高耐久性、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望，将其视为新一代的照明工具，已逐渐取代传统光源，并且应用于各种领域，如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。

图1为已知的发光元件结构示意图，如图1所示，已知的发光元件100，包含有透明基板10、位于透明基板10上的半导体叠层12，以及至少一电极14位于上述半导体叠层12上，其中上述的半导体叠层12由上而下至少包含第一导电型半导体层120、活性层122，以及第二导电型半导体层124。

此外，上述的发光元件100还可以进一步地与其他元件组合连接以形成发光装置(light-emitting apparatus)。图2为已知的发光装置结构示意图，如图2所示，发光装置200包含具有至少一电路202的次载体(sub-mount)20；至少一焊料(solder)22位于上述次载体20上，通过此焊料22将上述发光元件100粘结固定于次载体20上并使发光元件100的基板10与次载体20上的电路202形成电连接；以及，电性连接结构24，以电性连接发光元件100的电极14与次载体20上的电路202；其中，上述的次载体20可以是导线架(leadframe)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以方便发光装置200的电路规划并提高其散热效果。

然而，如图1所示，在已知的发光元件100中，由于透明基板10的表面为平整表面，且透明基板10的折射率与外部环境的折射率不同，因此活性层122所发出的光线A由基板进入外部环境时，容易形成全反射(TotalInternal Reflection，TIR)，降低发光元件100的光摘出效率。

发明内容

本发明的目的在于提供发光二极管及其制造方法，以解决上述问题。

本发明的目的是这样实现的，即提供一种发光元件制造方法，其步骤至少包含：提供基板，形成多个发光叠层于基板之上，以及以激光于基板内部形成多个内部散射中心。

附图说明

图1为已知的发光元件结构示意图。

图2为已知的发光装置结构示意图。

图3A至图3J为本发明制造流程结构示意图。

附图标记说明

100：发光元件                 10：透明基板

12：半导体叠层                14：电极

120：第一导电型半导体层       122：活性层

124：第二导电型半导体层       200：发光装置

20：次载体                    202：电路

22：焊料                      24：电性连接结构

30：基板                      302：第一表面

304：第二表面                 32：发光叠层

310：第一导电型半导体层       312：活性层

314：第二导电型半导体层       36：内部散射中心

300：发光元件                 361：激光

38：透明导电氧化层            40：电极

具体实施方式

本发明揭示一种发光元件及其制造方法，为了使本发明的叙述更加详尽与完备，请参照下列描述并配合图3A至图3J的附图。

图3A至图3J为本发明制造流程结构示意图，如图3A所示，提供基板30，其中基板30包含第一表面302与第二表面304，其中第一表面302与第二表面304相对；接着，如图3B所示，形成多个半导体外延层31于此基板30的第一表面302上，其中半导体外延层31由下而上至少包含第一导电型半导体层310、活性层312，以及第二导电型半导体层314。

随后，如图3C所示，利用光刻蚀刻技术蚀刻上述半导体外延层31，以裸露部分基板30并且使半导体外延层31形成多个台状结构的发光叠层32，其中每一个发光叠层32均裸露部分的第一导电型半导体层310。