[发明专利]半导体异质结构二极管有效
| 申请号： | 200980156127.X | 申请日： | 2009-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102308390A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 吴毅锋;乌梅什·米什拉;普里米特·帕里克;储荣明;伊兰·本-雅各布;申立坤 | 申请（专利权）人： | 特兰斯夫公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 谷惠敏;穆德骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 平面肖特基二极管，其半导体材料包括异质结构，其至少在一个半导体层中产生2DEG。金属阳极接触位于上半导体层的顶部上，并且与该半导体层形成肖特基接触。金属阴极接触连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 二极管 | ||
【主权项】：
一种二极管，包括：第一Ⅲ‑N材料层；第二Ⅲ‑N材料层，位于所述第一Ⅲ‑N材料层上，其中由于所述第一Ⅲ‑N材料层和所述第二Ⅲ‑N材料层之间的成分差异，2DEG沟道位于所述第一Ⅲ‑N材料层中；和两个端子，其中第一端子是由与所述第二Ⅲ‑N材料层形成的肖特基接触构成的阳极，并且第二端子是与所述2DEG沟道欧姆接触的单一阴极。
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