[发明专利]外延生长用内部改性衬底和使用其制造的晶体成膜体、器件、块状衬底以及它们的制造方法有效
| 申请号： | 200980154399.6 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102272891A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 会田英雄;青田奈津子;星野仁志 | 申请（专利权）人： | 并木精密宝石株式会社;株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;B23K26/00;C23C16/02;C30B29/38;C30B33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海音科专利商标代理有限公司 31267 | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供蓝宝石衬底和使用其制造的氮化物半导体层成膜体、氮化物半导体器件、氮化物半导体块状衬底以及它们的制造方法，蓝宝石衬底主要是氮化物半导体层的外延生长用蓝宝石衬底，能够有效地精密地控制衬底的翘曲形状和/或翘曲量，且能够抑制成膜中产生的衬底的翘曲从而减小衬底的翘曲行为；在蓝宝石衬底的内部，透过上述蓝宝石衬底的磨光面侧而将脉冲激光会聚并进行扫描，从而利用基于上述脉冲激光的多光子吸收形成改性区域图形，而控制蓝宝石衬底的翘曲形状和/或翘曲量；使用通过本发明得到的蓝宝石衬底形成氮化物半导体层的话，由于能够抑制成膜中的衬底的翘曲而减小衬底的翘曲行为，因此膜的质量和均匀性提高，从而能够提高氮化物半导体器件的质量和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 内部 改性 衬底 使用 制造 晶体 成膜体 器件 块状 以及 它们 方法 | ||
【主权项】：
一种外延生长用内部改性衬底，是通过外延生长而形成的结晶性膜的成膜中所使用的单晶衬底，其特征在于，在所述单晶衬底的内部，形成有利用了多光子吸收的改性区域图形，其中，多光子吸收是基于脉冲激光而产生的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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