[发明专利]半导体陶瓷及正特性热敏电阻无效
| 申请号： | 200980149759.3 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102245535A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 阿部直晃;胜勇人;后藤正人;岸本敦司;中山晃庆 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体陶瓷以具有通式AmBO3所示的钙钛矿型结构的BaTiO3系组合物作为主要成分，构成A位的Ba中的一部分被碱金属元素用Bi、Ca、Sr及稀土类元素取代，而且在构成所述A位的元素的总摩尔数设为1摩尔的情况下，所述Ca及Sr的含量以Ca的摩尔比设为x、所述Sr的摩尔比设为y计，满足0.05≤x≤0.20、0.02≤y≤0.12、及2x+5y≤0.7。PTC热敏电阻的部件基体1用该半导体陶瓷形成。并且由此可得到即便含有碱金属元素，Bi也不产生表面变色，即便长时间通电也可以抑制电阻值的经年劣化的可靠性的良好的非铅系的半导体陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 特性 热敏电阻 | ||
【主权项】：
一种半导体陶瓷，其特征在于，其为实质上不含铅的非铅系的半导体陶瓷，其将具有通式AmBO3所示的钙钛矿型结构的BaTiO3系组合物作为主要成分，构成A位的Ba中的一部分被碱金属元素、Bi、Ca、Sr及稀土类元素取代，并且，在将构成所述A位的元素的总摩尔数设为1摩尔，所述Ca的摩尔比设为x，所述Sr的摩尔比设为y的情况下，所述Ca及Sr的含量满足0.05≤x≤0.20、0.02≤y≤0.12、及2x+5y≤0.7。
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