[发明专利]具有结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200980136173.3 | 申请日： | 2009-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102160182A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;矢野公规;笘井重和;宇都野太;笠见雅司;后藤健治;川岛浩和 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及具有以氧化铟作为主成分、且含有正3价的金属氧化物的结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结晶 氧化 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其具有以氧化铟作为主成分，且含有正3价的金属氧化物的结晶质氧化铟半导体膜。
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