[发明专利]半导体光转换构造有效
| 申请号： | 200980132160.9 | 申请日： | 2009-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102124583A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张俊颖;特里·L·史密斯;迈克尔·A·哈斯 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 梁晓广;关兆辉 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体光转换构造。所述半导体光转换构造包括半导体势阱，用于将第一波长的光的至少一部分转换成更长的第二波长的光；外层，设置在所述半导体势阱上并且具有第一折射率；结构化层，设置在所述外层上并且具有小于所述第一折射率的第二折射率。所述结构化层包括直接设置在所述外层上的多个结构体以及暴露所述外层的多个开口。所述半导体光转换构造还包括结构化外涂层，所述结构化外涂层直接设置在所述结构化层的至少一部分上以及所述多个开口内的所述外层的一部分上。所述外涂层具有大于所述第二折射率的第三折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 转换 构造 | ||
【主权项】：
一种半导体光转换构造，包括：半导体势阱，用于将第一波长的光的至少一部分转换成更长的第二波长的光；外层，设置在所述半导体势阱上并且具有第一折射率；结构化层，设置在所述外层上并且具有小于所述第一折射率的第二折射率，所述结构化层包括直接设置在所述外层上的多个结构体以及暴露所述外层的多个开口；以及结构化外涂层，直接设置在所述结构化层的至少一部分上以及所述多个开口内的所述外层的一部分上，所述外涂层具有大于所述第二折射率的第三折射率。
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