[发明专利]带有沟道分隔的鳍状半导体设备生产方法

摘要

本发明提供了一种生产诸如FinFET设备结构之类半导体设备结构(300)的方法。所述方法从提供基板开始，所述基板包括块状半导体材料(302)、从所属块状半导体材料(302)中形成的第一导电鳍结构(306)和从所属块状半导体材料(302)中形成的第二导电鳍结构(308)。所述第一导电鳍结构(306)和所述第二导电鳍结构(308)由间隔(322)分隔。接着，在所述间隔(322)内，贴近所述第一导电鳍结构(306)和所述第二导电鳍结构(308)形成垫板(332、334)。随后，使用所述垫板(332、334)作为蚀刻掩模在蚀刻步骤蚀刻所述块状半导体材料(302)，以在所述块状半导体材料(302)内形成分隔沟道(336)。在所述分隔沟道(336)内、所述垫板(332、334)上、所述第一导电鳍结构(306)上和所述第二导电鳍结构(308)上形成介电材料(340)。然后，蚀刻至少一部分所述介电材料(340)和至少一部分所述垫板(332、334)，以暴露所述第一导电鳍结构(306)的上方部分(342)和所述第二导电鳍结构(308)的上方部分(342)，同时保留所述分隔沟道(336)内的所述介电材料(340)。在这些步骤后，使用传统方式完成所述设备的生产。

主权项

一种用于鳍状半导体设备的沟道分隔方法，所述方法包括：从块状半导体基板(302)中形成第一导电鳍系列(314)和第二导电鳍系列(316)，所述第一导电鳍系列(314)和所述第二导电鳍系列(316)由间隔(322)分隔；在所述第一导电鳍系列(314)、所述第二导电鳍系列(316)和所述块状半导体基板(302)上方沉积氧化物材料(324)，所述氧化物材料(324)形成与所述间隔(322)相对应的凹陷(326)，所述凹陷(326)定位于所述氧化物材料(324)的相对侧壁(328)之间；加深所述凹陷(326)，让其进入所述块状半导体基板(302)之内，以形成沟道(336)，所述沟道(336)自动与所述相对侧壁(328)对齐；以及用介电材料(340)填充所述沟道(336)。