[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200980117617.9 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102017113A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 熊泽谦太郎;户村善广 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 吕静姝;杨暄 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：半导体元件，其形成有多个元件电极；安装所述半导体元件的电路基板，其形成有与各所述元件电极对应的基板电极；和凸块，其设置在所述元件电极以及基板电极中的至少一方上，在所述半导体元件安装于所述电路基板上时，对所对应的所述元件电极和所述基板电极进行连接。而且，至少一个凸块与元件电极或者基板电极之间具有电介质层，元件电极或者基板电极、电介质层以及凸块构成平行平板电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体元件，其形成有多个元件电极；安装所述半导体元件的电路基板，所述电路基板形成有与各所述元件电极对应的基板电极；和凸块，其设置在所述元件电极以及基板电极中的至少一方上，在所述半导体元件安装于所述电路基板上时，对对应的所述元件电极与所述基板电极进行连接，在所述凸块的至少一个与设有该至少一个凸块的所述元件电极或者基板电极之间具有电介质层以及电阻层中的至少一方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
