[发明专利]半导体本体和制造半导体本体的方法有效
| 申请号： | 200980109056.8 | 申请日： | 2009-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101971372A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 马丁·斯特拉斯伯格;汉斯-尤尔根·卢高尔;文森特·格罗利尔;贝特侯德·哈恩;理查德·弗洛特尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/225 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有n型半导体层(21)和p型半导体层(22)的半导体本体(2)。p型半导体层(22)包含p型杂质并且n型半导体层(21)包含n型杂质和其他杂质。此外，还公开了一种用于制造半导体本体的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 本体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体本体(2)，具有：n型半导体层(21)，以及p型半导体层(22)，其中，所述p型半导体层(22)包含p型杂质，所述n型半导体层(21)包含n型杂质和其他杂质，以及在所述p型半导体层(22)与所述n型半导体层(21)之间设置有用于产生辐射的有源区域(20)和/或形成隧道接触(23、24)。
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