[发明专利]半导体本体和制造半导体本体的方法

权利要求书

1.一种半导体本体(2)，具有：

n型半导体层(21)，以及

p型半导体层(22)，其中，

所述p型半导体层(22)包含p型杂质，

所述n型半导体层(21)包含n型杂质和其他杂质，以及

在所述p型半导体层(22)与所述n型半导体层(21)之间设置有用于产生辐射的有源区域(20)和/或形成隧道接触(23、24)。

2.如权利要求1所述的半导体本体，其中，所述p型半导体层(22)被至少另一个半导体层覆盖。

3.如前述权利要求之一所述的半导体本体，其中，所述p型半导体层(22)配置在所述有源区域(20)与载体(5)或者生长衬底(50)之间。

4.如前述权利要求之一所述的半导体本体，其中所述半导体本体具有极性逆转的结构，所述结构具有下列层的组：

生长衬底(50)，

在所述生长衬底(50)上的所述p型半导体层(22)，

在所述p型半导体层(22)上的所述有源区域(20)，以及

在所述有源区域(20)上的所述n型半导体层(21)。

5.如前述权利要求之一所述的半导体本体，其中，所述其他杂质以使所述n型半导体层(21)对于氢的透过性得到提高的材料和浓度形成在所述n型半导体层(21)中。

6.如前述权利要求之一所述的半导体本体，其中，所述其他杂质在所述n型半导体层(21)中起受主的作用。

7.如前述权利要求之一所述的半导体本体，其中，所述其他杂质与所述p型半导体层(22)的p型杂质相同。

8.如前述权利要求之一所述的半导体本体，其中，所述其他杂质在所述n型半导体层(21)中的浓度为1×10¹⁷cm^-3至5×10¹⁸cm^-3。

9.如前述权利要求之一所述的半导体本体，其中，所述其他杂质在所述n型半导体层(21)中的浓度最高为所述n型杂质的浓度的50％。

10.如前述权利要求之一所述的半导体本体，其中，所述半导体本体(2)具有所述有源区域(20)和其它有源区域(25)，所述有源区域(20)和所述其它有源区域(25)每个都用于产生辐射，其中，所述n型半导体层(21)形成于所述有源区域(20)与所述其它有源区域(25)之间。

11.如前述权利要求之一所述的半导体本体，其中，所述半导体本体(2)基于氮化合物半导体材料。

12.一种半导体芯片(1)，具有如权利要求1至9之一所述的半导体本体(2)，所述半导体芯片(1)被实现为发光二极管芯片或者被实现为激光二极管芯片，具体地被实现为薄膜半导体芯片。

13.一种制造具有n型半导体层(21)和p型半导体层(22)的半导体本体(2)的方法，具有如下步骤：

a)沉积半导体层(220)，所述半导体层(220)包含p型杂质和氢；

b)沉积所述n型半导体层(21)，所述n型半导体层(21)包含n型杂质和其他杂质；以及

c)对所述半导体层(220)的所述p型杂质进行活化，以形成所述p型半导体层(22)，其中，氢从所述半导体层(220)穿过所述n型半导体层(21)而逸出。

14.如权利要求13所述的方法，其中，在所述步骤c)中的所述活化是以热学的方式进行的。

15.如权利要求13或14所述的方法，其中，制造如权利要求1至11之一所述的半导体本体(2)。