[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体芯片和系统无效
| 申请号： | 200980105943.8 | 申请日： | 2009-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101952954A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 三河巧;岛川一彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;G11C13/00;H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置(100)在最上层布线(114)上，形成层间绝缘膜(115)，贯通该层间绝缘膜(115)，形成接点(116，117)，电阻变化元件的下部电极(118a)覆盖接点(116)，形成在层间绝缘膜(115)上，电阻变化层(119)覆盖下部电极(118a)以及接点(117)，形成在层间绝缘膜(115)上，这里，接点(116)以及下部电极(118a)具有第1端子的功能，接点(117)具有第2端子的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 芯片 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于：包括：半导体基板；形成在所述半导体基板上的多个晶体管；包含有在所述多个晶体管上经由绝缘层布置在不同层中的布线，在通过施加电压发生电阻变化的电阻变化元件与所述晶体管之间的连接中使用的多层布线构造；形成在所述多层布线构造中的最上层布线上方，与所述最上层布线电连接的第1端子和第2端子，或者形成在所述最上层布线的一部分中的第1端子和第2端子；和配置成包含并接触所述第1端子和所述第2端子中的至少一方端子的上表面的电阻变化层，所述电阻变化元件由所述第1端子、所述电阻变化层和所述第2端子构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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