[发明专利]半导体晶片的清洗方法以及清洗装置有效
| 申请号： | 200980104414.6 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101939826A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 高桥正好;千叶金夫 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社REO研究所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一致即使在室温左右下也有效果、并且对环境友好、使用臭氧的半导体晶片的清洗方法以及清洗装置。作为其解决手段的本发明的半导体晶片的清洗方法的特征在于：使包含含有臭氧的微小气泡的水与半导体晶片的表面接触来进行，所述含有臭氧的微小气泡如下：在电导率为1μS/cm以下的纯水中或通过向所述纯水中添加酸而使pH最大降低到1的水溶液中生成的、粒径为50μm以下、在激光遮断式的液体中在利用粒子计数器进行的测定中在10～15μm具有粒径峰、在该峰的区域中的个数为1000个/mL以上。本发明的半导体晶片清洗装置的特征在于，至少具有用于制造所述的包含含有臭氧的微小气泡的水的装置、用于使制造的包含含有臭氧的微小气泡的水与半导体晶片的表面接触的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 清洗 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片清洗方法，其特征在于，使包含含有臭氧的微小气泡的水与半导体晶片的表面接触来进行，所述含有臭氧的微小气泡如下：在电导率为1μS/cm以下的纯水中或通过向所述纯水中添加酸而使pH最大降低到1的水溶液中生成的、粒径为50μm以下、在激光遮断式的液体中在利用粒子计数器进行的测定中在10～15μm具有粒径峰、在该峰的区域中的个数为1000个/mL以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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