[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200980100856.3 | 申请日： | 2009-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101842903A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 鸟居克行;杉山欣二 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置具有：第一半导体层(1)、在第一半导体层(1)上形成的第二半导体层(4)、在第二半导体(4)上以岛状形成的第三半导体层(5)、在第二半导体层(4)及第三半导体层(5)上形成的绝缘膜(7)、在绝缘膜(7)上形成的控制电极(21)、与第二半导体层(4)及第三半导体层(5)电连接的第一主电极(22)、与第一半导体层(1)电连接且具有Pd的第二主电极(23)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：第一导电型或与此相反的第二导电型的第一半导体层、在所述第一半导体层上形成的所述第一导电型的第二半导体层、在所述第二半导体层上以岛状形成的所述第二导电型的第三半导体层、在所述第二半导体层及所述第三半导体层上形成的绝缘膜、在所述绝缘膜上形成的控制电极、与所述第二半导体层及所述第三半导体层电连接的第一主电极、以及与所述第一半导体层电连接且具有Pd的第二主电极。
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