[发明专利]半导体元件的耐压测定装置及耐压测定方法无效
| 申请号： | 200980100751.8 | 申请日： | 2009-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102741992A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 楠本修;内田正雄;池上亮 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的耐压测定方法，用于对形成在晶片表面的多个半导体元件的耐压进行测定，包括：将所述晶片固定到载置台的步骤(A)；利用绝缘液仅覆盖所述晶片表面的一部分、即至少覆盖从所述多个半导体元件选择的一个半导体元件上设置的测定耐压的一个以上露出于大气的电极，并且使探头与所述一个以上电极接触的步骤(B)；和对从所述一个以上电极及所述载置台表面选择的两个之间的耐压进行测定的步骤(C)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 耐压 测定 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种耐压测定方法，用于对形成在晶片表面的多个半导体元件的耐压进行测定，其中包括：将所述晶片固定到载置台的步骤(A)；利用绝缘液仅覆盖所述晶片表面的一部分、即至少覆盖从所述多个半导体元件选择的一个半导体元件上设置的测定耐压的一个以上露出于大气的电极，并且使探头与所述一个以上电极接触的步骤(B)；和对从所述一个以上电极及所述载置台表面选择的两个之间的耐压进行测定的步骤(C)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
