[发明专利]半导体元件的耐压测定装置及耐压测定方法

权利要求书

1.一种耐压测定方法，用于对形成在晶片表面的多个半导体元件的耐压进行测定，其中包括：

将所述晶片固定到载置台的步骤(A)；

利用绝缘液仅覆盖所述晶片表面的一部分、即至少覆盖从所述多个半导体元件选择的一个半导体元件上设置的测定耐压的一个以上露出于大气的电极，并且使探头与所述一个以上电极接触的步骤(B)；和

对从所述一个以上电极及所述载置台表面选择的两个之间的耐压进行测定的步骤(C)。

2.根据权利要求1所述的耐压测定方法，其特征在于，

在所述步骤(B)中，利用所述绝缘液覆盖所述一个半导体元件和包围所述一个半导体元件且露出于大气的位置线。

3.根据权利要求1或2所述的耐压测定方法，其特征在于，

所述绝缘液具有比大气高的绝缘性。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的耐压测定方法，其特征在于，

从所述多个半导体元件中反复选择不同的一个半导体元件，对所选择的半导体元件，进行所述步骤(B)及(C)。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的耐压测定方法，其特征在于，

还包括在所述步骤(A)与(B)之间，使用设置在所述晶片表面的两个以上校准标记，按照设置于所述晶片的所述多个半导体元件的排列方向与所述载置台的可移动方向一致的方式，使所述载置台旋转的步骤。

6.根据权利要求5所述的耐压测定方法，其特征在于，

所述步骤(B)包括：使探头与所述一个半导体元件的所述一个以上电极接触的步骤(B1)；和

在所述步骤(B1)之后，利用绝缘液仅覆盖所述晶片表面的一部分、即至少覆盖设置于所述一个半导体元件的对耐压进行测定的一个以上露出于大气的电极的步骤(B2)。

7.根据权利要求5所述的耐压测定方法，其特征在于，

所述步骤(B)包括：利用绝缘液仅覆盖所述晶片表面的一部分、即至少覆盖设置于所述一个半导体元件的对耐压进行测定的一个以上露出于大气的电极的步骤(B3)；和

在所述步骤(B3)之后，使探头与所述一个半导体元件的所述一个以上电极接触的步骤(B4)。

8.根据权利要求7所述的耐压测定方法，其特征在于，

所述步骤(B3)包括：按照所述晶片接近所述探头的方式，使所述载置台移动的步骤；和

将所述绝缘液喷出到晶片上的步骤。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的耐压测定方法，其特征在于，

所述半导体元件是碳化硅半导体功率元件。

10.一种耐压测定装置，用于对形成在晶片表面的多个半导体元件的耐压进行测定，其具备：

控制部；

至少一个探头；

晶片位置控制部，其含有固定所述晶片的载置台，根据来自所述控制部的指令，使所述载置台移动，以便在从固定于所述载置台的晶片的多个半导体元件中选择的一个半导体元件设置的测定耐压的一个以上露出于大气的电极，能够与所述至少一个探头接触；

绝缘液喷出部，其根据来自所述控制部的指令，利用绝缘液仅覆盖所述晶片表面的一部分、即至少覆盖所述选择的半导体元件的所述电极；和

电压施加部，其根据来自所述控制部的指令，对从所述至少一个探头及所述载置台表面选择的两个之间的耐压进行测定。

11.根据权利要求10所述的耐压测定装置，其特征在于，

所述绝缘液喷出部包括具有与至少一个探头接近的喷出口的喷嘴。

12.根据权利要求11所述的耐压测定装置，其特征在于，

所述绝缘液喷出部按照覆盖所述选择的一个半导体元件、和包围所述一个半导体元件并露出于大气的位置线的方式，喷出所述绝缘液。

13.根据权利要求10～12中任意一项所述的耐压测定装置，其特征在于，所述绝缘液具有比大气高的绝缘性。