[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 200910311106.2 | 申请日： | 2009-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102097559A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，其包括一基板及在基板上依次形成的P-GaN层、活性层及n-GaN层。该发光二极管进一步包括一电极层，该电极层设置n-GaN层的表面。该n-GaN层包括第一扩散部及第二扩散部。该第一扩散部临近该电极层，该第二扩散部设置在该第一扩散部的远离该电极层一侧，且该第一扩散部的掺杂浓度小于该第二扩散部的掺杂浓度。本发明通过在n-GaN层表面设置第一扩散部与第二扩散部，由于第二扩散部的掺杂浓度大于第一扩散部，即第二扩散部的电阻率小于第一扩散部，使电流朝远离电极的第二扩散部延伸，从而增加电流分布的均匀性，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其包括一基板及在基板上依次形成的P‑GaN层、活性层及n‑GaN层，该发光二极管进一步包括一电极层，该电极层设置n‑GaN层的表面，其特征在于，该n‑GaN层包括第一扩散部及第二扩散部，该第一扩散部临近该电极层，该第二扩散部设置在该第一扩散部的远离该电极层一侧，且该第一扩散部的掺杂浓度小于该第二扩散部的掺杂浓度。
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