[发明专利]一种层状纳米结构InSb热电材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 200910272328.8 申请日: 2009-09-29
公开(公告)号: CN101694010A 公开(公告)日: 2010-04-14
发明(设计)人: 唐新峰;苏贤礼;李涵;张清杰 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B1/00;H01L35/18
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 唐万荣
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种InSb热电材料的制备方法。一种层状纳米结构InSb热电材料的制备方法,其特征在于它包括以下步骤:1)以颗粒状In、颗粒状Sb为起始反应原料,将反应原料按化学式InSb称重,混合,熔融冷却得到母合金锭体;2)将得到的母合金锭体放入石英玻璃管中并置于感应熔炼炉中熔炼,熔体在0.02MPa~0.06MPa的喷气压力下喷射到以线速度为10~40m/s高速旋转的铜辊表面,得到带状产物;3)将步骤2)得到的带状产物粗磨成粉末,用放电等离子烧结,得到单相、相对密度大于98%、具有40nm的层状纳米结构InSb热电材料。本发明具有工艺简单易控、反应时间短、能耗低、安全无污染、重复性好、得到块体材料热电性能高等特点。
搜索关键词: 一种 层状 纳米 结构 insb 热电 材料 制备 方法
【主权项】:
一种层状纳米结构InSb热电材料的制备方法,其特征在于它包括以下步骤:1)、以颗粒状In、颗粒状Sb为起始反应原料,将反应原料按化学式InSb称重,混合,采用2℃/min的升温速度缓慢加热到600~800℃,熔融5~10h后将熔体缓慢冷却到400~480℃,冷却得到母合金锭体;所述颗粒状In的纯度≥99.99%(质量),颗粒状Sb的纯度≥99.9999%(质量);2)、将得到的母合金锭体放入石英玻璃管中并置于感应熔炼炉中熔炼,感应熔炼炉的炉内先抽真空至5×10-3Pa,再充以高纯氩气保护,高纯氩气的纯度≥99.99%(质量),感应熔炼炉的加热电流为8~10A,电压为200~260V,得到熔体;在氩气氛中对熔体进行甩带,熔体在0.02MPa~0.06MPa的喷气压力下喷射到以线速度为10~40m/s高速旋转的铜辊表面,得到带状产物;3)、将步骤2)得到的带状产物粗磨成粉末,将粉末装入石墨模具中压实,用放电等离子烧结方法于小于10Pa真空条件下进行烧结,烧结温度为400℃~600℃,升温速率50℃~100℃/min,压力为30MPa~40MPa,烧结时间为5min,得到层状纳米结构InSb热电材料。
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