[发明专利]半导体器件及形成半导体器件的图案的方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的图案的方法，在半导体器件的图案的形成方法中，通过在一部分器件区中进行双重构图而使得图案密度加倍且不同宽度的图案被同时形成，具有可容易地应用该方法的结构的半导体器件。该半导体器件包括在第一方向上彼此平行地延伸的多个线图案。从多个线图案中在第二方向上间隔选出多个第一线图案，并且每个第一线图案具有靠近第一侧的第一端。从多个线图案中在第二方向上间隔选出的多个第二线图案，并且每个第二线图案具有靠近第一侧的第二端。第一线图案与第二线图案交替，每个第一线图案的第一端比每个第二线图案的第二端更远离第一侧。

主权项

一种半导体器件，包括在基板上器件区的中心部分沿第一方向彼此平行地延伸并彼此分隔开的多个线图案，其中所述中心部分与所述器件区的在所述中心部分外部的第一侧分离，其中所述多个线图案包括：多个第一线图案，从所述多个线图案中沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔地选出，并且每个第一线图案具有靠近所述第一侧的第一端；和多个第二线图案，从所述多个线图案中沿所述第二方向间隔地选出，每个第二线图案具有靠近所述第一侧的第二端；其中所述第一线图案与所述第二线图案交替，每个第一线图案的第一端比每个第二线图案的第二端更远离所述第一侧。