[发明专利]半导体器件及形成半导体器件的图案的方法有效
申请号: | 200910266326.8 | 申请日: | 2009-12-24 |
公开(公告)号: | CN101764130A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 李宁浩;沈载煌;罗暎燮 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L21/033;H01L21/822 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 形成 图案 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括在基板上器件区的中心部分沿第一方向彼此 平行地延伸并彼此分隔开的多个线图案,其中所述中心部分与所述器件区的 在所述中心部分外部的第一侧分离,其中所述多个线图案包括:
多个第一线图案,从所述多个线图案中沿垂直于所述第一方向的第二方 向间隔地选出,并且每个第一线图案具有靠近所述第一侧的第一端;
多个第二线图案,从所述多个线图案中沿所述第二方向间隔地选出,每 个第二线图案具有靠近所述第一侧的第二端;
在所述器件区的中心部分中的多个第三线图案,该多个第三线图案在所 述第一方向上分别以第三距离与从所述多个第一线图案中选出的一些第一 线图案分隔开,从而分别邻近所选的第一线图案;和
在所述器件区的中心部分中的多个第四线图案,该多个第四线图案在所 述第一方向上分别以第四距离与从所述多个第二线图案中选出的一些第二 线图案分隔开,从而分别邻近所选的第二线图案,
其中所述第一线图案与所述第二线图案交替,每个第一线图案的第一端 比每个第二线图案的第二端更远离所述第一侧,以及
其中所述器件区的所述中心部分包括非图案区,该非图案区沿所述第一 方向延伸的长度大于所述多个线图案中的每个在第二方向上的宽度,在该非 图案区中不形成所述线图案;和
所述非图案区在所述第一方向上的宽度由每个所选的第一线图案及相 对应的一个第三线图案来限定,并由每个所选的第二线图案及相对应的一个 第四线图案来限定,所述非图案区在所述第二方向上的宽度由从所述多个线 图案中选出的两个线图案来限定。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一线图案和所述第 二线图案沿所述第二方向交替布置。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中
所述第一线图案的每个第一端以第一距离与所述器件区的第一侧分离;
和
所述第二线图案的每个第二端以第二距离与所述器件区的第一侧分离, 其中所述第二距离小于所述第一距离。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中
所述多个线图案还包括与所述多个线图案的最外侧相邻的最外部线图 案;和
所述最外部线图案具有靠近所述第一侧的端部,其中与所述最外部线图 案相邻的线图案的两端中靠近所述第一侧的端部相比,所述最外部线图案的 该端部更远离所述第一侧。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中
所述器件区包括面对所述第一侧的第二侧,所述中心部分插置在所述第 一侧与所述第二侧之间;
所述多个第一线图案具有第三端,该第三端相应于与所述第一端相对的 端部,其中与邻近每个所述第一线图案的两侧的每两个第二线图案的各两端 中靠近所述第二侧的端部相比,所述第三端更远离所述第二侧;和
所述多个第二线图案具有第四端,该第四端相应于与所述第二端相对的 端部,其中与邻近每个所述第二线图案的两侧的每两个第一线图案的各两端 中靠近所述第二侧的端部相比,所述第四端更靠近所述第二侧。
6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第三距离大于所述第 四距离。
7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一距离和所述第二 距离大于所述多个线图案中的每个关于所述第二方向的宽度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中从所述第三线图案和所述 第四线图案中选出的至少一个线图案存在于从所述多个线图案中选出的所 述两个线图案之间。
9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一线图案和所述第 二线图案沿第二方向以规则的间距布置。
10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述器件区是其中形成所 述半导体器件的单位存储器的单元阵列区。
11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述多个线图案是在所述 器件区中限定有源区的隔离膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的