[发明专利]半导体器件及形成半导体器件的图案的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件和形成半导体器件的图案的方法，更具体地，涉 及具有同时采用高密度图案形成窄宽度的线图案和与高密度图案形成窄宽 度的线图案连接的宽宽度图案而获得的结构的半导体器件以及形成该半导 体器件的图案的方法，该高密度图案形成窄宽度的线图案用于形成具有各种 宽度的图案，其中该半导体器件所需的各种图案采用窄宽度的线图案和宽宽 度的图案来形成。

背景技术

在制造高度集成的半导体器件的过程中，通过采用以精细节距重复形成 的精细图案及具有相对大的宽度的图案，在减少光刻工艺的次数的同时形成 各种图案的技术能够被用于形成半导体器件的精细图案。

发明内容

根据本发明构思的方案，提供了一种半导体器件，包括在基板上器件区 的中心部分中的多个线图案，该多个线图案在第一方向上彼此平行地延伸且 彼此分离开，其中该中心部分与器件区的第一侧分离。多个线图案包括：多 个第一线图案，从多个线图案中在垂直于第一方向的第二方向上间隔选出， 并且每个第一线图案具有靠近第一侧的第一端；和多个第二线图案，从多个 线图案中在第二方向上间隔选出，并且每个第二线图案具有靠近第一侧的第 二端，其中第一线图案与第二线图案交替，每个第一线图案的第一端比每个 第二线图案的第二端更远离第一侧。

在半导体器件中，第一线图案和第二线图案可以一个接一个彼此交替。

第一线图案的第一端的每个都可以以第一距离与器件区的第一侧分离。 第二线图案的第二端的每个都可以以第二距离与器件区的第一侧分离，其中 第二距离小于第一距离。

多个线图案还可包括位于多个线图案的最外侧的最外部线图案。最外部 线图案可具有靠近第一侧的端部，其中与相邻于最外部线图案的线图案的两 端中靠近第一侧的端部相比，最外部线图案的该端部更远离第一侧。

器件区可包括面对第一侧的第二侧，中心部分插置在第一侧和第二侧之 间。多个第一线图案可具有第三端，该第三端相应于与第一端相对的端部， 其中与相邻于每个第一线图案的两侧的每两个第二线图案的各自两端中靠 近第二侧的端部相比，第三端更远离第二侧。多个第二线图案可具有第四端， 该第四端相应于与第二端相对的端部，其中与相邻于每个第二线图案的两侧 的每两个第一线图案的各自两端中靠近第二侧的端部相比，第四端更靠近第 二侧。

半导体器件还包括在器件区的中心部分中的多个第三线图案，该多个第 三线图案在第一方向上分别以第一距离与从多个第一线图案中选出的一些 第一线图案分隔开，从而分别靠近所选的第一线图案；以及在器件区的中心 部分中的多个第四线图案，该多个第四线图案在第一方向上分别以第二距离 与从多个第二线图案中选出的一些第二线图案分隔开，从而分别靠近所选的 第二线图案。第一距离可以大于第二距离。第一距离和第二距离可以大于多 个线图案中的每个关于第二方向的宽度。

器件区的中心部分可包括非图案区，该非图案区沿着第一方向延伸的长 度大于多个线图案中的每个在第二方向上的宽度，且在该非图案区中没有形 成线图案。非图案区在第一方向上的宽度可以由每个所选的第一线图案及相 对应的一个第三线图案来限定以及由每个所选的第二线图案及相对应的一 个第四线图案来限定，和非图案区在第二方向上的宽度可以由从多个线图案 中选出的每两个线图案来限定。从第三线图案和第四线图案中选出的至少一 个线图案可存在于从多个线图案中选出的每两个线图案之间。

在半导体器件中，第一线图案和所述第二线图案可沿着第二方向以规则 的间距布置。

多个线图案可以是用于在器件区中限定有源区的隔离膜。多个线型有源 区中的每个均位于多个线图案中的每两个之间，该多个线型有源区可以由器 件区的中心部分中的多个线图案来限定。半导体器件还可包括在器件区的中 心部分中的多个第三线图案，该多个第三线图案在第一方向上分别以第一距 离与从多个第一线图案中选出的一些第一线图案分离，从而分别靠近所选的 第一线图案；以及在器件区的中心部分中的多个第四线图案，该多个第四线 图案在第一方向上分别以第二距离与从多个第二线图案中选出的一些第二 线图案分离，从而分别靠近所选的第二线图案，其中岛型有源区由器件区的 中心部分中的第一线图案、第二线图案、第三线图案和第四线图案来限定。 岛型有源区可包括在第一方向上具有不同宽度的部分。