[发明专利]一种半导体设备用铝合金及其制备方法有效
| 申请号： | 200910241945.1 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101792877A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 许小静;闫晓东;汤振雷 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C22C21/08 | 分类号： | C22C21/08;C22C1/03;B22D1/00;B22D11/049 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 耿小强 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体设备用铝合金及其制备方法，属于有色金属加工技术。本发明半导体设备用铝合金材料的组成和重量配比如下：Mg 1.00-1.20％、Si 0.58-0.75％、Mg/Si 1.6-1.73、Cu 0.10-0.15％、Cr 0.04-0.20％、Mn 0.10-0.40％、Ti 0.015-0.02％、Fe≤0.3％，余量为Al。通过对合金元素的优化和控制，本发明改善了半导体设备用铝合金材质的组织，组织均匀，第二相析出物全部分布在晶内，尺寸在5微米以内。将该成分的合金氧化后，氧化膜均匀一致，质量很好，没有针孔等缺陷存在。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 备用 铝合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体设备用铝合金，其特征在于：所述半导体设备用铝合金的组分和重量配比如下：Mg 1.00～1.20％、Si 0.58～0.75％、Mg/Si 1.6～1.73、Cu 0.10～0.15％、Cr 0.04～0.20％、Mn 0.10～0.40％、Ti 0.015～0.02％、Fe≤0.3％，余量为Al。
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