[发明专利]一种实现源漏和栅分开硅化的方法

摘要

一种实现源漏和栅分开硅化的方法，包括：局部氧化隔离或浅槽隔离，栅氧化，并沉积多晶硅；淀积二氧化硅硬掩膜；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；淀积二氧化硅并刻蚀形成侧墙；源漏注入，形成源漏硅化物；淀积源漏保护介质层；旋涂光刻胶；回刻光刻胶至栅顶部介质层露头；刻蚀栅顶部介质层和硬掩膜；去除光刻胶；淀积金属镍Ni，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅；选择去除未反应的金属镍Ni。利用本发明，易于集成，节约成本，实现了与CMOS工艺的良好兼容。

主权项

一种实现源漏和栅分开硅化的方法，主要步骤包括：1)局部氧化隔离或浅槽隔离，栅氧化并沉积多晶硅；2)淀积二氧化硅硬掩膜；3)光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；4)淀积二氧化硅并刻蚀形成侧墙；5)源漏杂质注入并激活，6)形成源漏硅化物；7)淀积源漏保护介质层；8)旋涂光刻胶，回刻光刻胶至栅顶部介质层露头，刻蚀栅顶部介质层和硬掩膜，去除光刻胶；9)淀积金属镍Ni，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅；10)选择去除未反应的金属镍Ni。