[发明专利]一种实现源漏和栅分开硅化的方法

权利要求书

1.一种实现源漏和栅分开硅化的方法，主要步骤包括：

1)局部氧化隔离或浅槽隔离，栅氧化并沉积多晶硅；

2)淀积二氧化硅硬掩膜；

3)光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；

4)淀积二氧化硅并刻蚀形成侧墙；

5)源漏杂质注入并激活，

6)形成源漏硅化物；

7)淀积源漏保护介质层；

8)旋涂光刻胶，回刻光刻胶至栅顶部介质层露头，刻蚀栅顶部介质层和硬掩膜，去除光刻胶；

9)淀积金属镍Ni，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅；

10)选择去除未反应的金属镍Ni。

2.根据权利要求1所述的实现源漏和栅分开硅化的方法，其中，步骤1局部氧化隔离或浅槽隔离中，氧化温度为1000℃，隔离层厚度为3000至

所述栅氧化并沉积多晶硅中，栅氧化的厚度为15至沉积多晶硅采用化学气相淀积法，沉积的多晶硅的厚度为800至

3.根据权利要求1所述的实现源漏和栅分开硅化的方法，其中，步骤2淀积二氧化硅硬掩膜中，淀积二氧化硅采用化学气相淀积方法，淀积的TEOS厚度为700至

4.根据权利要求1所述的实现源漏和栅分开硅化的方法，其中，步骤3中的光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极包括：

采用厚度为1.5微米的9918胶作为掩模进行光刻，采用反应离子刻蚀二氧化硅和多晶硅，将场区内多晶硅刻蚀干净，形成多晶硅栅电极。

5.根据权利要求1所述的实现源漏和栅分开硅化的方法，其中，步骤4淀积二氧化硅并刻蚀形成侧墙中，淀积二氧化硅是采用化学气相淀积方法，淀积的二氧化硅厚度为500至然后采用反应离子刻蚀二氧化硅，将有源区上的二氧化硅刻干净，在栅电极两侧形成二氧化硅侧墙。

6.根据权利要求1所述的实现源漏和栅分开硅化的方法，其中，步骤5源漏杂质注入并激活中，注入的杂质对P型场效应晶体管为P型杂质BF₂，对N型场效应晶体管为N型杂质As；

对于P型杂质BF₂，注入条件为：注入能量15至30Kev，注入剂量为1×10¹⁵至5×10¹⁵cm^-2；

对于N型杂质As，注入条件为：注入能量30至60Kev，注入剂量为1×10¹⁵至5×10¹⁵cm^-2；

杂质激活的条件为：温度950至1020℃，时间2至20秒。

7.根据权利要求1所述的实现源漏和栅分开硅化的方法，其中，步骤6形成源漏硅化物中，淀积金属镍Ni的厚度为50至退火条件为：温度400至550℃，时间30至60秒。

8.根据权利要求1所述的实现源漏和栅分开硅化的方法，其中，步骤7淀积源漏保护介质层中，淀积的源漏保护介质层为低温淀积二氧化硅，淀积低温淀积二氧化硅采用化学气相淀积方法，淀积的低温淀积二氧化硅厚度为500至

9.根据权利要求1所述的实现源漏和栅分开硅化的方法，其中，步骤8旋涂光刻胶中，旋涂的光刻胶为稀释后的9912光刻胶，光刻胶厚度为5000-左右；

回刻光刻胶至栅顶部介质层露头步骤中，采用反应离子刻蚀光刻胶至栅电极顶部的介质层充分露出，并保证在源漏区域上仍然留有足够的光刻胶保护源漏；

刻蚀栅顶部介质层和硬掩膜步骤中，采用反应离子刻蚀介质层和硬掩膜至多晶硅栅电极顶部充分露出，并保证在源漏区域上仍然留有足够的光刻胶保护源漏；

去除光刻胶的步骤中，采用去胶3^#腐蚀液清洗15分钟，清洗3^#腐蚀液清洗10分钟，1^#腐蚀液清洗5分钟；该3^#腐蚀液是体积比为3-5∶1的H₂SO₄与H₂O₂溶液；该1^#腐蚀液是体积比为0.7-1∶1∶5的NH₄OH+H₂O₂+H₂O溶液；