[发明专利]一种ESD用均匀触发半导体硅控整流控制器无效
| 申请号： | 200910233695.7 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101697355A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王钦;李海松;刘侠;杨东林;易扬波;陈文高 | 申请（专利权）人： | 苏州博创集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L29/36;H01L23/60 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种静电放电防护电路中用的均匀触发半导体硅控整流控制器，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上面分别设置有相邻的N型阱和P型阱，在N型阱中设有低浓度N型半导体区和P型半导体区，在低浓度N型半导体区、P型半导体区、N型半导体区和P型半导体区以外的区域设有场氧化层，在N型半导体区和P型掺杂半导体区上连有金属层，构成了横向半导体硅控整流控制器的阳极；在N型掺杂半导体区和P型半导体区上连有金属层，构成了横向半导体硅控整流控制器的阴极。在P型阱和N型阱交界处的场氧化层的下表面处设有高浓度P型场注入层，在N型阱中设有低浓度N型半导体区。其能够获得较低触发电压，并且有利于均匀触发的横向硅控整流器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 esd 均匀 触发 半导体 整流 控制器 | ||
【主权项】：
一种ESD用均匀触发半导体硅控整流控制器，包括：P型掺杂半导体衬底(1)，在所述P型掺杂半导体衬底(1)上面分别设置有相邻的N型掺杂阱(2)和P型掺杂阱(3)，在所述N型掺杂阱(2)中设有低浓度N型掺杂半导体区(5)和P型掺杂半导体区(6)，在所述低浓度N型掺杂半导体区(5)中设有N型掺杂半导体区(4)，在所述P型掺杂阱(3)中设有N型掺杂半导体区(7)和P型掺杂半导体区(8)，在所述低浓度N型掺杂半导体区(5)、P型掺杂半导体区(6)、N型掺杂半导体区(7)和P型掺杂半导体区(8)以外的区域设有场氧化层(10)，在所述低浓度N型掺杂半导体区(5)、P型掺杂半导体区(6)、N型掺杂半导体区(7)、P型掺杂半导体区(8)和场氧化层(10)的表面设有二氧化硅介质层(11)，在所述N型掺杂半导体区(4)和P型掺杂半导体区(6)上连有金属层(12)，构成了横向半导体硅控整流控制器的阳极；在所述N型掺杂半导体区(7)和P型掺杂半导体区(8)上连有金属层(13)，构成了横向半导体硅控整流控制器的阴极；在所述P型掺杂阱(2)和N型掺杂阱(3)交界处的场氧化层(10)的下表面处设有高浓度P型场注入层(9)，其特征在于，所述低浓度N型掺杂半导体区(5)完全包围N型掺杂半导体区(4)。
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