[发明专利]非易失性半导体存储装置及其写入方法无效
| 申请号： | 200910208291.2 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101752000A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 马西亚斯·贝尔 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的目的是减低验证操作的数目，缩短写入需要的时间。解决方法是在对于对应多个状态的相互不同的多个启始电压设定至各存储单元并藉此记录多值状态的非易失性半导体存储阵列，控制其写入的非易失性半导体存储装置中，一边由既定的写入开始电压开始依序将写入电压增加既定的电压增加量，一边验证并将上述存储单元写入时，根据先前进行的写入中验证操作通过时的写入脉冲数，决定及设定上述写入开始电压进行写入。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，包括：非易失性存储阵列，将对应多个状态的相互不同的多个启始电压设定至各存储单元并藉此记录多值状态；以及控制电路，控制写入上述存储阵列，其中上述控制电路的特征是一边由既定的写入开始电压开始依序将写入电压增加既定的电压增加量，一边验证并将上述存储单元写入时，根据先前进行的写入中验证操作通过时的写入脉冲数，决定及设定上述写入开始电压进行写入。
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