[发明专利]条形半导体激光芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 200910208160.4 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101728766A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 马场靖夫;松下保彦;后藤幸夫 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种条形半导体激光芯片，可以抑制振荡波长的变化。所述条形半导体激光芯片具有氮化物半导体衬底和半导体层，所述半导体层形成在所述氮化物半导体衬底的主表面上，并且包括多个激光芯片部分。所述多个激光芯片部分在[11-20]方向上形成阵列。氮化物半导体衬底的主表面是在沿着[11-20]方向的方向上具有偏角的(0001)面。氮化物半导体衬底的主表面的中央部分具有在沿着[11-20]方向的方向上偏离(0001)面0.05±0.1度的偏角。 | ||
| 搜索关键词： | 条形 半导体 激光 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种条形半导体激光芯片，包括：氮化物半导体衬底；以及半导体层，形成在氮化物半导体衬底的主表面上，并且包括多个激光芯片部分，其中，所述多个激光芯片部分在[11-20]方向上形成阵列，所述氮化物半导体衬底的主表面是在沿着[11-20]方向的方向上具有偏角的(0001)面，以及所述氮化物半导体衬底的主表面的中央部分具有在沿着[11-20]方向的方向上偏离(0001)面0.05±0.1度的偏角。
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