[发明专利]条形半导体激光芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种条形半导体激光芯片，包括：

氮化物半导体衬底；以及

半导体层，形成在氮化物半导体衬底的主表面上，并且包括多个激光芯片部分，

其中，

所述多个激光芯片部分在[11-20]方向上形成阵列，

所述氮化物半导体衬底的主表面是在沿着[11-20]方向的方向上具有偏角的(0001)面，以及

所述氮化物半导体衬底的主表面的中央部分具有在沿着[11-20]方向的方向上偏离(0001)面0.05±0.1度的偏角。

2.根据权利要求1所述的条形半导体激光芯片，其中，

当氮化物半导体衬底的主表面的偏角在[11-20]方向上减小时，在朝向[11-20]方向测量时，氮化物半导体衬底的主表面的中央部分具有从(0001)面到[0001]方向侧0.05±0.1度的偏角，以及

当氮化物半导体衬底的主表面的偏角在[11-20]方向上增大时，在朝向[-1-120]方向测量时，氮化物半导体衬底的主表面的中央部分具有从(0001)面到[0001]方向侧0.05±0.1度的偏角。

3.根据权利要求1或2所述的条形半导体激光芯片，其中，

所述氮化物半导体衬底的主表面的中央部分具有在沿着[11-20]方向的方向上偏离(0001)面大于0度但小于0.1度的偏角。

4.根据权利要求1或2所述的条形半导体激光芯片，其中，

在[11-20]方向上激光芯片部分当中最末端的一个激光芯片部分的振荡波长与在[-1-120]方向上激光芯片部分当中最末端的一个激光芯片部分的振荡波长之差是2nm或更小。

5.根据权利要求1或2所述的条形半导体激光芯片，其中，

所述氮化物半导体衬底包括GaN衬底。

6.一种制造条形半导体激光芯片的方法，包括：

准备包括氮化物半导体的晶片的步骤；

在所述晶片的主表面上形成要形成为激光芯片部分的半导体层的步骤；

将所述晶片分成条的步骤，每个条具有在[11-20]方向上形成阵列的多个激光芯片部分，

其中，

所述晶片的主表面是在沿着[11-20]方向的方向上具有偏角的(0001)面，以及

所述晶片的主表面的中央部分具有在沿着[11-20]方向的方向上偏离(0001)面0.05±0.1度的偏角。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

当所述晶片的主表面的偏角在[11-20]方向上减小时，在朝向[11-20]方向测量时，所述晶片的主表面的中央部分具有从(0001)面到[0001]方向侧0.05±0.1度的偏角，以及

当所述晶片的主表面的偏角在[11-20]方向上增大时，在朝向[-1-120]方向测量时，所述晶片的主表面的中央部分具有从(0001)面到[0001]方向侧0.05±0.1度的偏角。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，

所述氮化物半导体包括GaN。