[发明专利]闪存器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910207980.1 | 申请日： | 2009-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN101740578A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 朴真河 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;陈昌柏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种闪存器件，包括：形成在设置有器件隔离膜的半导体衬底中的沟槽；形成在包括所述沟槽的所述半导体衬底上的氧化物膜；插入至所述氧化物膜内并形成在所述沟槽的侧壁处的氮化物膜图案；以及形成在包括所述氮化物膜图案的所述氧化物膜上的多晶硅图案。一种制造闪存器件的方法，包括如下步骤：在设置有器件隔离膜的半导体衬底中形成沟槽；在包括所述沟槽的所述半导体衬底上形成氧化物膜，所述氧化物膜包括氮化物膜图案；以及在包括所述氮化物膜图案的所述氧化物膜上形成多晶硅图案；其中所述氮化物膜图案插入至所述氧化物膜内并形成在所述沟槽的侧壁处。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存器件，包括：形成在设置有器件隔离膜的半导体衬底中的沟槽；形成在包括所述沟槽的所述半导体衬底上的氧化物膜；插入至所述氧化物膜内并形成在所述沟槽的侧壁处的氮化物膜图案；以及形成在包括所述氮化物膜图案的所述氧化物膜上的多晶硅图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
