[发明专利]闪存器件及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存器件，包括：

形成在设置有器件隔离膜的半导体衬底中的沟槽；

形成在包括所述沟槽的所述半导体衬底上的氧化物膜；

插入至所述氧化物膜内并形成在所述沟槽的侧壁处的氮化物膜图案；以及

形成在包括所述氮化物膜图案的所述氧化物膜上的多晶硅图案。

2.根据权利要求1所述的闪存器件，其中所述氮化物膜图案形成为与所述沟槽的侧壁平行并与所述沟槽的底部垂直。

3.根据权利要求1所述的闪存器件，其中所述多晶硅图案形成在所述沟槽的底部和转角区域上，以覆盖所述氮化物膜图案。

4.根据权利要求1所述的闪存器件，还包括：

形成在所述沟槽的底部上的第一杂质区，位于所述半导体衬底上的所述多晶硅图案的一侧；以及

形成在所述半导体衬底上的第二杂质区，位于所述多晶硅图案的另一侧。

5.一种制造闪存器件的方法，包括如下步骤：

在设置有器件隔离膜的半导体衬底中形成沟槽；

在包括所述沟槽的所述半导体衬底上形成氧化物膜，所述氧化物膜包括氮化物膜图案；以及

在包括所述氮化物膜图案的所述氧化物膜上形成多晶硅图案；

其中所述氮化物膜图案插入至所述氧化物膜内并形成在所述沟槽的侧壁处。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在包括所述沟槽的所述半导体衬底上形成氧化物膜的步骤包括：

在包括所述沟槽的所述半导体衬底上形成第一氧化物膜；

在设置有所述第一氧化物膜的所述沟槽的侧壁处形成所述氮化物膜图案，并在包括所述氮化物膜图案的所述半导体衬底上形成第二氧化物膜；

通过部分地去除形成在所述沟槽的底部以及所述半导体衬底上的所述第一氧化物膜和所述第二氧化物膜，在所述氮化物膜图案与所述半导体衬底之间的接触表面以及所述氮化物膜图案的一侧形成氧化物膜图案；以及

在包括所述氧化物膜图案的所述半导体衬底上形成第三氧化物膜，以形成插入有所述氮化物膜图案的氧化物膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其中当所述氮化物膜图案形成在设置有所述第一氧化物膜的所述沟槽的侧壁处时，所述第一氧化物膜形成在所述沟槽的侧壁与所述氮化物膜图案之间。

8.根据权利要求6所述的方法，其中在所述第一氧化物膜上形成氮化物膜之后，通过各向异性蚀刻工艺在所述沟槽的侧壁处、在所述第一氧化物膜上形成所述氮化物膜图案。

9.根据权利要求5所述的方法，其中所述氮化物膜图案形成为与所述沟槽的侧壁平行并与所述沟槽的底部垂直。

10.根据权利要求5所述的方法，其中所述多晶硅图案形成在所述沟槽的底部和转角区域上，以覆盖所述氮化物膜图案。