[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明的一个目的在于通过缩减曝光掩模数简化光刻工序，以低成本且高生产率地制造具有氧化物半导体的半导体装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，使用由透过的光成为多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成的掩模层进行氧化物半导体膜以及导电膜的蚀刻工序。在蚀刻工序中，第一蚀刻工序采用使用蚀刻液的湿蚀刻，而第二蚀刻工序采用使用蚀刻气体的干蚀刻。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上层叠栅极绝缘层、氧化物半导体膜以及导电膜；在所述栅极绝缘层、所述氧化物半导体膜以及所述导电膜上形成第一掩模层；使用所述第一掩模层在第一蚀刻工序中对所述氧化物半导体膜以及所述导电膜进行蚀刻，以形成氧化物半导体层以及导电层；对所述第一掩模层进行灰化形成第二掩模层；以及使用所述第二掩模层在第二蚀刻工序中对所述氧化物半导体层以及所述导电层进行蚀刻，以形成具有凹部的氧化物半导体层、源电极层以及漏电极层，其中，所述第一掩模层使用曝光掩模形成，并且，在所述第一蚀刻工序中使用利用蚀刻液的湿蚀刻，并且，在所述第二蚀刻工序中使用利用蚀刻气体的干蚀刻，并且，在所述具有凹部的氧化物半导体层中，包含其厚度薄于与所述源电极层或所述漏电极层重叠的区域的厚度的区域。